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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>PJM10H03NSC
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PJM10H03NSC
场效应管(MOSFET)
PJSEMI(平晶微)
-
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0.045克(g)
5010
-
: 0.290519
: 5010

10

0.290519

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100

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300

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0.1344

1209.6

image of 场效应管(MOSFET)>PJM10H03NSC
image of 场效应管(MOSFET)>PJM10H03NSC
PJM10H03NSC
PJM10H03NSC
场效应管(MOSFET)
PJSEMI(平晶微)
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0.045克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
功率(Pd)1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)650pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@30V
工作温度-
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0755-83225727

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