: | PJM10H03NSC |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | PJSEMI(平晶微) |
: | - |
: | - |
: | 0.045克(g) |
: | 5010 |
: | - |
10
0.290519
2.90519
100
0.238519
23.8519
300
0.212519
63.7557
3000
0.1568
470.4
6000
0.1452
871.2
9000
0.1344
1209.6
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 3A |
功率(Pd) | 1.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@30V |
工作温度 | - |