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芯奇士电子
| ： | XGP6508B |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | XINGUAN(芯冠) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 2.8克(g) |
| ： | 5000 |
| ： | - |
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
| Vds-漏源击穿电压 | 650V |
| Id-漏极电流(25℃) | 21A |
| Pd-功耗 | 83W |
| RDS(on)-导通电阻(8V) | 150mΩ |
