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芯奇士电子
| ： | Y2N655S |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | Silicon Billion(硅兆) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 0.153克(g) |
| ： | 5000 |
| ： | - |
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 16.2A |
| 功率(Pd) | 31.3W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@10V,5A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 300pF@30V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@30V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
