: | YPN438S |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | Silicon Billion(硅兆) |
: | - |
: | - |
: | 0.155克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
1.74
1.74
10
1.42
14.2
30
1.28
38.4
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | - |
功率(Pd) | - |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,10A;27mΩ@10V,7.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - |
输入电容(Ciss@Vds) | - |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |