:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>YPN438S
  • image of 场效应管(MOSFET)>YPN438S
YPN438S
场效应管(MOSFET)
Silicon Billion(硅兆)
-
-
0.155克(g)
5001
-
: 1.74
: 5001

1

1.74

1.74

10

1.42

14.2

30

1.28

38.4

image of 场效应管(MOSFET)>YPN438S
image of 场效应管(MOSFET)>YPN438S
YPN438S
YPN438S
场效应管(MOSFET)
Silicon Billion(硅兆)
-
-
0.155克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
功率(Pd)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,10A;27mΩ@10V,7.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0