:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 达林顿管>MJD122G
  • image of 达林顿管>MJD122G
MJD122G
达林顿管
Cmos(广东场效应半导体)
-
-
0.377克(g)
5005
-
: 0.87298
: 5005

5

0.87298

4.3649

50

0.767345

38.36725

150

0.72493

108.7395

500

0.66703

333.515

2500

0.642355

1605.8875

5000

0.63155

3157.75

image of 达林顿管>MJD122G
image of 达林顿管>MJD122G
MJD122G
MJD122G
达林顿管
Cmos(广东场效应半导体)
-
-
0.377克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录达林顿管
类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)100V
集电极电流(Ic)8A
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0