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芯奇士电子

  • image of IGBT管/模块>XD040Q120AT1S3
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XD040Q120AT1S3
IGBT管/模块
XDM(芯达茂)
-
-
1克(g)
5001
-
: 22.05
: 5001

1

22.05

22.05

210

8.54

1793.4

360

8.24

2966.4

1080

8.09

8737.2

image of IGBT管/模块>XD040Q120AT1S3
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XD040Q120AT1S3
XD040Q120AT1S3
IGBT管/模块
XDM(芯达茂)
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1克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)40A
功率(Pd)277W
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)2V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)5.9V@1000uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)2.1uC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce)3nF@25V
开启延迟时间(Td(on))24ns
关断延迟时间(Td(off))168ns
导通损耗(Eon)2.8mJ
关断损耗(Eoff)0.8mJ
反向恢复时间(Trr)-
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0755-83225727

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