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芯奇士电子

  • image of IGBT管/模块>XNG100B24TC1S5
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XNG100B24TC1S5
IGBT管/模块
Xiner(芯能半导体)
-
-
173克(g)
5000
-
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XNG100B24TC1S5
XNG100B24TC1S5
IGBT管/模块
Xiner(芯能半导体)
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173克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型IGBT模块
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
功率(Pd)-
正向压降(Vf@If)2.25V@100A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)1.9V@100A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)6.8V@3.3mA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)-
输入电容(Cies@Vce)6.9nF@25V
开启延迟时间(Td(on))40ns
关断延迟时间(Td(off))240ns
导通损耗(Eon)9.5mJ
关断损耗(Eoff)10.2mJ
反向恢复时间(Trr)140ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tvjop)
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0755-83225727

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