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芯奇士电子

  • image of NAND FLASH>DS35Q1GA-IB
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DS35Q1GA-IB
NAND FLASH
Dosilicon(东芯)
-
-
0.08克(g)
5001
-
: 14.53
: 5001

1

14.53

14.53

10

12.66

126.6

30

11.54

346.2

100

10

1000

500

9.48

4740

1000

9.24

9240

image of NAND FLASH>DS35Q1GA-IB
image of NAND FLASH>DS35Q1GA-IB
DS35Q1GA-IB
DS35Q1GA-IB
NAND FLASH
Dosilicon(东芯)
-
-
0.08克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录NAND FLASH
存储容量1Gbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压3.3V
读-工作电流15mA
写-工作电流15mA
擦除-工作电流15mA
待机电流10uA
写周期时间(tWC)-
页写入时间(Tprog)700us
块擦除时间(tBE)10ms
工作温度-40℃~+85℃
captcha

0755-83225727

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