: | DS35Q1GA-IB |
---|---|
: | NAND FLASH |
: | Dosilicon(东芯) |
: | - |
: | - |
: | 0.08克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
14.53
14.53
10
12.66
126.6
30
11.54
346.2
100
10
1000
500
9.48
4740
1000
9.24
9240
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | NAND FLASH |
存储容量 | 1Gbit |
时钟频率(fc) | 104MHz |
工作电压 | 3.3V |
读-工作电流 | 15mA |
写-工作电流 | 15mA |
擦除-工作电流 | 15mA |
待机电流 | 10uA |
写周期时间(tWC) | - |
页写入时间(Tprog) | 700us |
块擦除时间(tBE) | 10ms |
工作温度 | -40℃~+85℃ |