:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of IGBT管/模块>MPBW40N65BH
  • image of IGBT管/模块>MPBW40N65BH
MPBW40N65BH
IGBT管/模块
芯长征
-
-
8.48克(g)
5001
-
: 4.82
: 5001

1

4.82

4.82

10

4.06

40.6

30

3.65

109.5

100

3.18

318

500

2.82

1410

1000

2.72

2720

image of IGBT管/模块>MPBW40N65BH
image of IGBT管/模块>MPBW40N65BH
MPBW40N65BH
MPBW40N65BH
IGBT管/模块
芯长征
-
-
8.48克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)80A
功率(Pd)280W
正向压降(Vf@If)1.7V@20A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)1.9V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)5.8V@1mA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)239nC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce)3.453nF@25V
开启延迟时间(Td(on))55ns
关断延迟时间(Td(off))140ns
导通损耗(Eon)1.6mJ
关断损耗(Eoff)0.7mJ
反向恢复时间(Trr)80ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0