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芯奇士电子

产品详情
  • image of RF FET、MOSFET>A5G21H605W19NR3
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型号 A5G21H605W19NR3
产品分类 RF FET、MOSFET
制造商 NXP Semiconductors
描述 RF MOSFET LDMOS
封装 -
包装 卷带式 (TR)
RoHS 状态
获取报价信息
image of RF FET、MOSFET>22116448
22116448
型号
22116448
产品分类
RF FET、MOSFET
制造商
NXP Semiconductors
描述
RF MOSFET LDMOS
封装
-
包装
卷带式 (TR)
lang_roHSStatusStatus
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商NXP Semiconductors
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱OM-780-4S4S
安装类型Surface Mount
频率2.11GHz ~ 2.2GHz
功率输出85W
获得15.1dB
技术GaN
供应商设备包OM-780-4S4S
额定电压125 V
电压 - 测试48 V
当前-测试300 mA
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服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0755-83225727

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