型号: | A5G21H605W19NR3 |
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产品分类: | RF FET、MOSFET |
制造商: | NXP Semiconductors |
描述: | RF MOSFET LDMOS |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | |
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类型 | 描述 |
制造商 | NXP Semiconductors |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | OM-780-4S4S |
安装类型 | Surface Mount |
频率 | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
功率输出 | 85W |
获得 | 15.1dB |
技术 | GaN |
供应商设备包 | OM-780-4S4S |
额定电压 | 125 V |
电压 - 测试 | 48 V |
当前-测试 | 300 mA |