型号: | BSC105N15LS5ATMA1 |
---|---|
产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | IR (Infineon Technologies) |
描述: | TRENCH >=100V |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
获取报价信息
|
数量
价格
总价
1
$2.1900
$2.1900
10
$1.9700
$19.7000
25
$1.8600
$46.5000
100
$1.5800
$158.0000
250
$1.4900
$372.5000
500
$1.3000
$650.0000
1000
$1.0800
$1,080.0000
2500
$1.0000
$2,500.0000
5000
$0.9700
$4,850.0000
10000
$0.9300
$9,300.0000
类型 | 描述 |
制造商 | IR (Infineon Technologies) |
系列 | OptiMOS™ 5 |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerTDFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 10.7A (Ta), 76A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 10.5mOhm @ 40A, 10V |
功耗(最大) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.3V @ 91µA |
供应商设备包 | PG-TDSON-8 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 150 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 3000 pF @ 75 V |