| 型号: | DMTH10H4M5LPSW |
|---|---|
| 产品分类: | 单 FET、MOSFET |
| 制造商: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| 描述: | MOSFET BVDSS: 6 |
| 封装: | - |
| 包装: | 卷带式 (TR) |
| 数量: | 3500 |
| RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
1
$1.9500
$1.9500
10
$1.6200
$16.2000
100
$1.2900
$129.0000
500
$1.0900
$545.0000
1000
$0.9200
$920.0000
2500
$0.8200
$2,050.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 107A (Tc) |
| Rds On(最大)@Id、Vgs | 4.9mOhm @ 30A, 10V |
| 功耗(最大) | 4.7W (Ta), 136W (Tc) |
| Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerDI5060-8 (Type UX) |
| 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 80 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 4843 pF @ 50 V |
