型号: | IAUCN04S7L005ATMA1 |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | IR (Infineon Technologies) |
描述: | MOSFET_(20V 40V |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
1
$2.6800
$2.6800
10
$2.4100
$24.1000
25
$2.2700
$56.7500
100
$1.9700
$197.0000
250
$1.8700
$467.5000
500
$1.6800
$840.0000
1000
$1.4200
$1,420.0000
2500
$1.3400
$3,350.0000
5000
$1.2900
$6,450.0000
类型 | 描述 |
制造商 | IR (Infineon Technologies) |
系列 | OptiMOS™ 7 |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerTDFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 430A (Tj) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 0.52mOhm @ 88A, 10V |
功耗(最大) | 179W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.8V @ 95µA |
供应商设备包 | PG-TDSON-8-43 |
年级 | Automotive |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±16V |
漏源电压 (Vdss) | 40 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 141 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 9415 pF @ 20 V |
资质 | AEC-Q101 |