型号: | ICE11N70 |
---|---|
产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | IceMOS Technology |
描述: | Superjunction M |
封装: | - |
包装: | 管子 |
RoHS 状态: | |
获取报价信息
|
数量
价格
总价
50
$3.4200
$171.0000
1000
$3.2000
$3,200.0000
5000
$2.9300
$14,650.0000
15000
$2.7000
$40,500.0000
25000
$2.5000
$62,500.0000
类型 | 描述 |
制造商 | IceMOS Technology |
系列 | - |
包装 | 管子 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-220-3 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 25mOhm @ 5.5A, 10V |
功耗(最大) | 108W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 3.5V @ 250µA |
供应商设备包 | TO-220 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 700 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 85 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 2750 pF @ 25 V |