型号: | ICE22N60B |
---|---|
产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | IceMOS Technology |
描述: | Superjunction M |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | |
获取报价信息
|
数量
价格
总价
800
$3.1500
$2,520.0000
1600
$2.9600
$4,736.0000
2400
$2.7000
$6,480.0000
5600
$2.4900
$13,944.0000
类型 | 描述 |
制造商 | IceMOS Technology |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 160mOhm @ 11A, 10V |
功耗(最大) | 208W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 3.9V @ 250µA |
供应商设备包 | TO-263 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 600 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 72 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 2730 pF @ 25 V |