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芯奇士电子
| 型号： | IRF200B211XKMA1 |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | IR (Infineon Technologies) |
| 描述： | TRENCH >=100V |
| 封装： | - |
| 包装： | 管子 |
| RoHS 状态： | 1 |
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获取报价信息
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数量
价格
总价
3000
$0.6300
$1,890.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 170mOhm @ 7.2A, 10V |
| 功耗（最大） | 80W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.9V @ 50µA |
| 供应商设备包 | PG-TO220-3-904 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 23 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 790 pF @ 50 V |
