| 型号: |
IRFL110TR |
| 产品分类: |
单 FET、MOSFET |
| 制造商: |
Vishay / Siliconix |
| 描述: |
MOSFET N-CH 100 |
| 封装: |
- |
| 包装: |
卷带式 (TR) |
| 数量: |
1000 |
| RoHS 状态: |
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | TO-261-4, TO-261AA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Rds On(最大)@Id、Vgs | 540mOhm @ 900mA, 10V |
| 功耗(最大) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Vgs(th)(最大值)@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-223 |
| 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 180 pF @ 25 V |
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