型号: | IRL40T209ATMA2 |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | IR (Infineon Technologies) |
描述: | TRENCH <= 40V |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
2000
$1.3700
$2,740.0000
6000
$1.3200
$7,920.0000
类型 | 描述 |
制造商 | IR (Infineon Technologies) |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerSFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 0.72mOhm @ 100A, 10V |
功耗(最大) | 500W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.4V @ 250µA |
供应商设备包 | PG-HSOF-8-1 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 40 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 269 nC @ 4.5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 16000 pF @ 20 V |