型号: | NXH003P120M3F2PTNG |
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产品分类: | FET、MOSFET 阵列 |
制造商: | Sanyo Semiconductor/onsemi |
描述: | SILICON CARBIDE |
封装: | - |
包装: | 托盘 |
RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
1
$258.7200
$258.7200
20
$242.3200
$4,846.4000
40
$233.2100
$9,328.4000
类型 | 描述 |
制造商 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
系列 | - |
包装 | 托盘 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | Module |
安装类型 | Chassis Mount |
配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | Silicon Carbide (SiC) |
功率 - 最大 | 1.48kW (Tj) |
漏源电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 435A (Tj) |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 20889pF @ 800V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 5mOhm @ 200A, 18V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 1200nC @ 20V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4.4V @ 160mA |
供应商设备包 | 36-PIM (56.7x62.8) |