型号: | NXV08A170DB2 |
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产品分类: | FET、MOSFET 阵列 |
制造商: | Sanyo Semiconductor/onsemi |
描述: | APM12-CBA, MV7 |
封装: | - |
包装: | 托盘 |
RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
1
$19.0900
$19.0900
10
$17.5400
$175.4000
25
$16.8200
$420.5000
80
$14.0900
$1,127.2000
288
$13.1800
$3,795.8400
576
$12.2700
$7,067.5200
类型 | 描述 |
制造商 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
系列 | - |
包装 | 托盘 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
安装类型 | Through Hole |
配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
工作温度 | 175°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss) | 80V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 14000pF @ 40V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4V @ 250µA |
供应商设备包 | APM12-CBA |
年级 | Automotive |
资质 | AEC-Q100 |