
| 型号: | TO252MDD4N65DS |
|---|---|
| 产品分类: | 单 FET、MOSFET |
| 制造商: | NextGen Components |
| 描述: | MOSFET TO-252 N |
| 封装: | - |
| 包装: | 卷带式 (TR) |
| 数量: | 13500 |
| RoHS 状态: | 1 |
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价格
总价
2500
$0.7200
$1,800.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | NextGen Components |
| 系列 | TO-252 |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Rds On(最大)@Id、Vgs | 2.8Ohm @ 2A, 10V |
| 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
| Vgs(最大) | ±30V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 12 nC @ 10 V |
