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芯奇士电子

产品详情
  • image of FET、MOSFET 阵列>TPC8228-H,LQ
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型号 TPC8228-H,LQ
产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述 MOSFET 2N-CH 60
封装 -
包装 卷带式 (TR)
RoHS 状态
获取报价信息
image of FET、MOSFET 阵列>17506613
17506613
型号
17506613
产品分类
FET、MOSFET 阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET 2N-CH 60
封装
-
包装
卷带式 (TR)
lang_roHSStatusStatus
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列U-MOSVI-H
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大1.5W (Ta)
漏源电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.8A
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds640pF @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs57mOhm @ 1.9A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id2.3V @ 100µA
供应商设备包8-SOP
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